$InSb\锑化铟晶体$

InSb\锑化铟晶体

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产品名称：	锑化铟(InSb)晶体基片
产品简介：
技术参数：	单晶：InSb掺杂：None;Te;Ge导电类型：N;N;P载流子浓度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位错密度cm-2 <2x102
产品规格：	标准尺寸：dia2"x0.5mm; 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。
标准包装：	1000级超净室100级超净袋或单片盒封装