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产品名称： | 锑化铟(InSb)晶体基片 |
产品简介： | |
技术参数： | 单晶：InSb掺杂：None;Te;Ge导电类型：N;N;P载流子浓度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位错密度cm-2 <2x102
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产品规格： | 标准尺寸：dia2"x0.5mm; 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。
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标准包装： | 1000级超净室100级超净袋或单片盒封装 |
| 掺杂 | None | Te | Ge |
| 导电类型 | N | N | P |
| 载流子浓度(cm-³) | 1~5*1014-4*1016 | 1-4*1016 | |
