单晶硅片

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化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料

技术参数

掺杂类型不掺杂电阻率Ω.cm102~104EPD(cm-2 )≤ 100氧含量( /cm3 )≤1.8 x1018碳含量( /cm3 )≤5x1016晶圆电阻率(Ω.cm)< 0.051 ~ 56 ~ 12> 30应用外延衬底太阳能电池IC，OE设备或传感器特殊设备或组件

产品规格

晶体方向：<111> ;<100>;<110>±0.5° 或者特殊方向

常规尺寸：dia2"x0.5mm、dia3"x0.5mm 、dia4"x0.5mm、 dia5" 、dia6" 、 dia8"

抛光情况：细磨、单抛、双抛；