$Si\硅衬底$

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Si\硅衬底

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名称：	Si晶体
产品简介：	Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
技术参数：	掺杂类型	不掺杂
	电阻率Ω.cm	102~104
	EPD(cm-2 )	≤ 100
	氧含量( /cm3 )	≤1.8 x1018
	碳含量( /cm3 )	≤5x1016
产品规格：	常规晶向：<001> 、<100>；常规尺寸：10x5x0.5mm；10x10x0.5mm；抛光情况：单抛、双抛; 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。
标准包装：	1000级超净室100级超净袋真空包装

晶圆电阻率(Ω.cm)	< 0.05	1 ~ 5	6 ~ 12	> 30
应用	外延衬底	太阳能电池	IC，OE设备或传感器	特殊设备或组件