SiC-4H\碳化硅

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名称：	碳化硅(SiC)晶体基片
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Crystal structure: SiC 4H	a=0.3073nm,b=0.3073nm,c=1.0053nm,α=90,β=90,γ=-======120
Structural properties and Electrical Properties	SiC 4H is an indirect bandgap semiconductor with a bandgap of 3.3 eV.