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Cd1-xZnxTe晶体基片

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产品名称：	Cd1-xZnxTe晶体基片
产品简介：	II - VI族晶体有可能在不久的将来用于突出拍摄上。他们的直接带隙的性质和大范围的透明度以及一个带隙,为有趣的设备提供了广泛选择的可能性。
技术参数：	晶体名称： Cd 1-x ZnxTe 生长方法： Bridgeman 结构：立方晶格常数(A)： a=6.486 密度 ( g/cm3)： 5.851 熔点 (oC)： 1045 热容 (J /g.k)： 0.210 热膨胀系数(10-6/K)： 5.0
产品规格：	常规晶向：<111>；常规尺寸：10x10x0.5mm、10x10x1.0mm；抛光情况：细磨、单抛、双抛；常规电阻率:R>1x10^⁶ Ω.cm；注：可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。
标准包装：	1000级超净室100级超净袋