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Bi4Ge3O12

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技术参数：

基本性质

晶向 <100> 晶体结构立方晶格常数 a=10.518Å 生长方法提拉法熔点 1050℃ 密度 7.12g/cm3 莫氏硬度 5 Mohs 透过范围 350~5500nm 电光系数 (x10-12m/V ) r41 1.03 折射率 2.098@ 632.8nm 激发光谱 305nm 荧光光谱 480~510nm 相对光输出 10~14% Nal (Tl) 衰减时间 300ns 临界能量 10.5Mev 能量分辨率(511千电子伏特) 20%

产品规格：

可按客户要求定制尺寸

标准包装：

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装