$GaAs\砷化镓晶体$

GaAs\砷化镓晶体

售价

￥0

没货了

产品名称：	砷化镓(GaAs)晶体基片
技术参数：	单晶：砷化镓(GaAs) 掺杂： None；Si；Cr；Te；Zn 导电类型： SI；N；Si；N；P 载流子浓度cm-3： /> 5x1017 /~2x1018 >5x1018 位错密度cm-2： <5x105 生长方法及最大尺寸： LEC & HB Ø3"
产品规格：	常规晶向：<100>、<110>、<111>；晶向公差：±0.05° 常规尺寸：5x5x0.5mm; 10x10x0.5mm;dia1"x0.5mm; dia2"x0.5mm;dia3"x0.5mm;dia4"x0.5mm; 抛光情况：细磨、单抛、双抛; 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按照客户要求加工尺寸和晶向
标准包装：	1000级超净室100级超净袋真空封装或单片盒装