$GaN\氮化镓晶体$

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GaN\氮化镓晶体

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技术参数

制作方法：HVPE（氢化物气象外延法）传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R<0.05 Ω.cm； R表面粗糙度：<0.5nm位错密度：<5x106Ω.cm可用表面积：>90%TTV:≤15umBow:≤20um

产品规格

晶体方向:

注：可按照客户要求加工尺寸及方向。

标准包装

1000级超净室100级超净袋或单片盒装