GaSb/锑化镓晶体

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产品介绍：锑化镓（GaSb）是III-V族的镓和锑的半导体化合物。它具有约0.61nm的晶格常数。 GaSb可用于红外探测器，红外LED和激光器和晶体管，以及热光电系统。我司可提供2”,3”,4”锑化铟单晶片。

产品名称：	锑化镓(GaSb)晶体基片
技术参数：	单晶： GaSb 掺杂： none；None, high R；Zn；Te；Te, high R 导电类型： P P- P+ N 载流子浓度cm-3 ： 1-2x1017 1-5x1016 1-5x10182-6x1017 1-5x1016 位错密度cm-2 ： <103 生长方法及最大尺寸： LEC Ø 3"
产品规格：	标准尺寸：<100>, dia2"x0.5mm, 单抛，表面粗糙度Ra:<15A 可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
标准包装：	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装