磷化铟(InP)晶体基片

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产品名称：	磷化铟(InP)晶体基片
技术参数：	单晶 InP 掺杂 None；Sn；S；Fe：Zn 硬度 3.0莫氏硬度密度 4.78 g/cm3 导电类型 N；N；N；Si；P 折射率 3.45 载流子浓度cm-3 1-2x1016 1-3x10181-4x1018 .6-4x1018 位错密度cm-2 <5x104 生长方法 LEC 温度 1072℃ 弹性模量 7.1E11dyn Cm-2
产品规格：	标准尺寸：<100>, dia2"x0.5mm,单抛; <100>, 10x10x0.5mm,单抛；表面粗糙度Ra：<15A 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。
标准包装：	1000级超净室，100级超净袋封装